나노전자소자 연구실 통합 관리 시스템

공정 변수 및 박막 분석 데이터 등록 기록 (캘린더 동기화)

Sputter 데이터 시트 접속

공통 기본 정보

실험 날짜

시작 시간

공정 시간 (min)

연구원 이름

기판 전처리

샘플 ID

로테이션 (RPM)

Base 진공도 (Torr)

진행 장비 선택

TC Bonding 추적 정보

Project

Experiment Type

Run ID

Bond Pair ID

Top Sample ID

Bottom Sample ID

Top Coupon Size (mm)

Bottom Coupon Size (mm)

Top / Bottom Cu 노출 및 표면 상태

Nominal Contact Area (mm²)

Top Cu Deposition End

Bottom Cu Deposition End

Top Air Exposure Time (min) - 자동

Bottom Air Exposure Time (min) - 자동

Top Surface Treatment

Bottom Surface Treatment

Bonding 전 Plasma 전처리 (사용 시)

아래 Plasma 조건은 별도 표기가 없는 한 Top/Bottom에 동일 적용된 조건으로 기록합니다.

Plasma Equipment

Plasma Gas

Ar Flow (sccm)

Plasma Pressure (Torr/Pa)

RF Power (W)

Treatment Time (s/min)

Plasma → Bonding Delay (min)

TC Bonding 온도 / 압력 조건

Upper Platen Set Temp (°C)

Lower Platen Set Temp (°C)

Upper Actual Max Temp (°C)

Lower Actual Max Temp (°C)

Upper Overshoot (°C) - 자동

Lower Overshoot (°C) - 자동

Upper Hold Avg Temp (°C)

Lower Hold Avg Temp (°C)

Air Pressure (bar)

Total Force (kgf) - 자동78.5 × Air Pressure(bar)

Calculated Bonding Pressure (MPa) - 자동Total Force × 9.80665 / Nominal Contact Area

Hold Time (min)

Pressure Application Temp (°C)

Pressure / Heating Order

Heating Start Time

Target Temp Reached

Hold Start

Hold End

Cooling Method

Pressure During Cooling

Unload Temp (°C)

Process End Time

Total Process Time (min) - 자동

Bonding Sequence

Bonding 직후 결과

Bond Result

Bond Grade (0/1/2) - 자동0=Not bonded, 1=Partially bonded, 2=Bonded

Handling 가능

Misalignment

Alignment Offset

Edge Delamination

Crack

Warpage

Cu Discoloration / Oxidation

Actual Bonded Area (mm²)

Bonded Area Ratio (%) - 자동

Failure / Shear 결과 (측정 후 입력)

Failure Mode

Maximum Shear Force (N)

Shear Strength (MPa) - 자동Actual Bonded Area가 있으면 해당 면적, 없으면 Nominal Contact Area를 사용합니다.

기판 조건 및 증착 결과 분석

기판 종류

기판 온도 (°C)

증착 두께 (nm)

면저항 (Ω/sq)

Final Thickness (kÅ)

단차 (nm)

비고 요약

결과 이미지 업로드

사진 폴더명 (변수명)

실험 결과 사진 (다중 선택 가능) 선택 사항입니다. 파일을 선택할 경우 폴더명을 필히 입력하세요.

연달아 정보 등록 체크하면 등록 후 입력한 공정 조건을 유지합니다. 캘린더는 첫 등록 때 한 번만 등록되며, 사진 파일 선택과 폴더명만 초기화됩니다.

데이터 검색

날짜/시간	공정시간(min)	연구원	장비명	샘플ID	로테이션(RPM)	기판종류	기판전처리	기판온도(°C)	증착물질	Base진공(Torr)	Work진공(Torr)	가스종류	Ar유량(sccm)	O2유량(sccm)	N2유량(sccm)	파워종류	파워(W)	Pre-sputter(min)	T-S거리(mm)	보트 종류	전류(A)	증착속도(Å/s)	두께(nm)	면저항(Ω/sq)	Volume(Dial)	Tooling(%)	Final Thickness(kÅ)	단차(nm)	비고 요약	이미지	조치

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